5V1A2A充电器3C认证USB充电头

产品特点：1.输出电压范围：5V 输出电流：0.1A-2A；2.同步整流方案、可靠性高、超声压合；3.内置过压、过流和短路保护；4.输入特性：100-240VAC±10%；频率：50/60Hz；电流：0.6A Max；5.启动时间：3sMax；启动冲击电流：50A/240VAC Max；6.输出特点：恒压模式、恒流模式、恒压恒流模式可选7.环境：0℃-40℃，5%-90%RH；8.存储温度：-20℃-85℃，5%-95%RH；9.冷却方式：自然冷却；产品应用：●LED ：LED台灯、LED发光模组、潜水灯

电动垂直起降飞行器（eVTOL）电机驱动碳化硅功率模块

基本™（BASiC Semiconductor）第二代碳化硅MOSFET亮点更低比导通电阻：第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。更低器件开关损耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低，提高器件的抗干扰能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，产品可靠性表现出色。更

BASiC基本™碳化硅(SiC)MOSFET

倾佳电子（Changer Tech）专业分销基本™（BASiC Semiconductor）碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模块，BASiC基本™单管IGBT，BASiC基本™IGBT模块，BASiC基本™三电平IGBT模块，BASiC基本™I型三电平IGBT模块，BASiC基本™T型三电平IGBT模块，BASiC基本™混合SiC-IGBT单管，BASiC基本™混合SiC-IGBT模块，单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片

新能源汽车电机驱动器碳化硅 (SiC) 功率模块

基本™（BASiC Semiconductor）PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块-工业级全碳化硅功率模块-倾佳电子（Changer Tech）专业分销PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块BMF240R12E2G3 BMF240R12E2C4-倾佳电子（Changer Tech）专业分销基本™（BASiC Semiconductor）SOT227碳化硅MOSFET模块B2M012120N适用于液冷充电桩电源的基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅

推动碳化硅SiC功率MOSFET分立器件及模块国产化替代

倾佳电子专业分销BASiC基本™碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模块，BASiC基本™单管IGBT，BASiC基本™IGBT模块，BASiC基本™三电平IGBT模块，BASiC基本™I型三电平IGBT模块，BASiC基本™T型三电平IGBT模块，BASiC基本™混合SiC-IGBT单管，BASiC基本™混合SiC-IGBT模块，单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片（带VCE保护）BTD3011,BASiC基本™混合SiC-

适用于液冷充电桩电源的SiC碳化硅MOSFET模块

基本™PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块-工业级全碳化硅功率模块-倾佳电子专业分销PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块BMF240R12E2G3-倾佳电子专业分销适用于液冷充电桩电源的SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子专业分销适用于三相三电平维也纳PFC的SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子专业分销碳化硅（SiC）功率模块在工业市场有许多应用。这些模块通常用于提高电能转换和控制系统的效率，同时在高温和高频率环境下表现良好。以下是碳化

(SiC)MOSFET专用双通道隔离驱动芯片BTD25350

倾佳电子专业分销BASiC基本™碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模块，BASiC基本™单管IGBT，BASiC基本™IGBT模块，BASiC基本™三电平IGBT模块，BASiC基本™I型三电平IGBT模块，BASiC基本™T型三电平IGBT模块，BASiC基本™混合SiC-IGBT单管，BASiC基本™混合SiC-IGBT模块，单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片（带VCE保护）BTD3011,BASiC基本™混合SiC-

BASiC基本™碳化硅SiC功率MOSFET分立器件及模块

倾佳电子专业分销BASiC基本™碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模块，BASiC基本™单管IGBT，BASiC基本™IGBT模块，BASiC基本™三电平IGBT模块，BASiC基本™I型三电平IGBT模块，BASiC基本™T型三电平IGBT模块，BASiC基本™混合SiC-IGBT单管，BASiC基本™混合SiC-IGBT模块，单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片（带VCE保护）BTD3011,BASiC基本™混合SiC-

BASiC基本碳化硅(SiC)MOSFET代理商

专业分销BASiC基本碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本碳化硅MOSFET模块，BASiC基本单管IGBT，BASiC基本IGBT模块，BASiC基本三电平IGBT模块，BASiC基本I型三电平IGBT模块，BASiC基本T型三电平IGBT模块，BASiC基本混合SiC-IGBT单管，BASiC基本混合SiC-IGBT模块，单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片（带VCE保护）BTD3011,BASiC基本混合SiC-IGBT三电平模块应用于光伏逆

B2M040120Z国产替代安森美MOSFET

专业分销BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半导体碳化硅MOSFET模块，BASiC基本半导体单管IGBT，BASiC基本半导体IGBT模块，BASiC基本半导体三电平IGBT模块，BASiC基本半导体I型三电平IGBT模块，BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块，单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片（带VCE保护）BTD3011,B

单指向咪头

深圳市亿鑫美电声科技有限公司是一家专业致力于驻极体传声器的设计、生产、销售的高科技企业。公司总部坐落于美丽的宝安西乡，毗邻深圳宝安国际机场，环境幽雅，交通便利公司自成立以来，依靠 自身强大的技术实力和多年的丰富经验，本着高标准、 高起点、高规划的原则积极开拓国内外销售市场，形成了良好的销售网络和销售规模。公司产品主要应用于手机、MP3/4、对讲机、蓝牙耳机，电话机，录音笔，声控设备，数码相机等通信及数码

单指向咪头

深圳市亿鑫美电声科技有限公司拥有一支富有朝气的高素质管理团队，主要工程技术人员均有从事专业开发十多年的实践通讯时代，公司确立了以新产品开发为导向，以不断提升品质，满足客户需要为目标，引进日韩先进设备和生产技术，并配备标准消声室和无尘净化车间等设施，保证了生产环境和产品品质的稳定性。公司通过了ISO9001和ISO14001质量/环境体系认证，通过不断改善和加强企业管理，提高产品质量和售后服务，使企业具备了良好的发

单指向咪头厂家

深圳市亿鑫美电声科技有限公司是专业开发制造传声器的民营企业，月产量高达200万只以上。工厂拥有完善的管理体系、先进的生产管理手段、完善的检验和检测装置，并经过3年来的努力，已经与客户建立了良好的关系，拥有强大的客户群，公司全体同仁将一如既往地坚持以真诚的服务于客户，充分发挥综合优势，与各界朋友真诚合作，携手并进，共创辉煌！

降噪单指向咪头

降噪单指向咪头深圳单指向降噪咪头,耐高温贴片咪头公司是一家集咪头，听筒，喇叭综合的电子配套生产厂商，面向市场，主要针对客户有手机，电话机，MP3MP4,高档耳机，话务耳机，录音笔，数码相机，车载DVD，MID等高端数码产品的客户，公司主力于咪头，分全指向，单指向，双指向，硅麦之开发及生产，主要型号分为：3015，4015，6027，6050，9767等依客户不同规格要求定做。黑磁、白磁喇叭：9mm,10mm，13mm，15mm，28mm,40mm, 及音腔